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CY7C11681KV18-400BZXC CY7C11681KV18-400BZXC Cypress Semiconductor Corp 配給業者
製造業者識別番号CY7C11681KV18-400BZXC
メーカー/ブランドCypress Semiconductor Corp
在庫数量68180 個
単価メールで引用 (sales@qic.jp)
簡単な説明IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
製品カテゴリメモリ
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
耐湿性レベル（MSL） 1 (無制限)
納期1〜2日
生産年 (DC)最新
データシートダウンロード CY7C11681KV18-400BZXC.pdf

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品番
CY7C11681KV18-400BZXC
生産状況（ライフサイクル）
お問い合わせ
生産時間
4-8週間
状態
新規および未使用、純正品
発送方法
佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
部品ステータス
廃止
メモリの種類
Volatile
メモリフォーマット
SRAM
技術
SRAM - Synchronous, DDR II+
メモリー容量
18Mb (1M x 18)
クロック周波数
400MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
-
アクセス時間
-
メモリインターフェイス
Parallel
電圧 - 供給
1.7 V ~ 1.9 V
動作温度
0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプ
SMD Surface Mount
パッケージ/ケース
165-LBGA
サプライヤデバイスパッケージ
165-FBGA (13x15)
重量
お問い合わせ
応用
メールで送ってください: sales@qic.jp
代替部品番号
CY7C11681KV18-400BZXC

によって作られた関連部品 Cypress Semiconductor Corp

関連キーワード "CY7C116"

品番 メーカー 説明
CY7C116 CYPRESS CY7C116 CYPRESS IC DIP
CY7C1161V18 CYPRESS 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC
CY7C1161V18-300BZC CYPRESS 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC
CY7C1161V18-300BZI CYPRESS 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC
CY7C1161V18-300BZXC CYPRESS 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC
CY7C1161V18-300BZXI CYPRESS 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC
CY7C1161V18-333BZC CYPRESS 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC
CY7C1161V18-333BZI CYPRESS 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC
CY7C1161V18-333BZXC CYPRESS 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC
CY7C1161V18-333BZXI CYPRESS 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC
CY7C1163KV18-400BZI Cypress Semiconductor Corp IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
CY7C1163KV18-450BZC Cypress Semiconductor Corp IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Email: sales@qic.jp
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