製造業者識別番号BSC019N06NSATMA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
在庫数量62730 個
単価メールで引用 (sales@qic.jp)
簡単な説明DIFFERENTIATED MOSFETS
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
耐湿性レベル(MSL) 1 (無制限)
納期1〜2日
生産年 (DC)最新
データシートダウンロード BSC019N06NSATMA1.pdf

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品番
BSC019N06NSATMA1
生産状況(ライフサイクル)
お問い合わせ
生産時間
4-8週間
状態
新規および未使用、純正品
発送方法
佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
部品ステータス
生産中
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
100A (Ta)
Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
1.95 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
3.3V @ 74µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
77nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
5.25nF @ 30V
FET機能
-
消費電力(最大)
136W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
SMD Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
8-TDSON (5x6)
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN
重量
お問い合わせ
応用
メールで送ってください: sales@qic.jp
代替部品番号
BSC019N06NSATMA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "BSC01"

品番 メーカー 説明
BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
BSC010N04LSCATMA1 Infineon Technologies DIFFERENTIATED MOSFETS
BSC010N04LSIATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON
BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies DIFFERENTIATED MOSFETS
BSC010NE2LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
BSC010NE2LSIATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8
BSC011N03LSTATMA1 Infineon Technologies DIFFERENTIATED MOSFETS
BSC014N03LSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
BSC014N03MSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8