BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | BSC0911NDATMA1 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 在庫数量 | 43820 個 |
| 単価 | メールで引用 (sales@qic.jp) |
| 簡単な説明 | MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8 |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (無制限) |
| 納期 | 1〜2日 |
| 生産年 (DC) | 最新 |
| データシートダウンロード | BSC0911NDATMA1.pdf |
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- 品番
- BSC0911NDATMA1
- 生産状況（ライフサイクル）
- お問い合わせ
- 生産時間
- 4-8週間
- 状態
- 新規および未使用、純正品
- 発送方法
- 佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
- 部品ステータス
- 生産中
- FETタイプ
- 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- FET機能
- Logic Level Gate, 4.5V Drive
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 25V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 18A, 30A
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 3.2 mOhm @ 20A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 2V @ 250µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 12nC @ 4.5V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 1600pF @ 12V
- 電力 - 最大
- 1W
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- SMD Surface Mount
- パッケージ/ケース
- 8-PowerTDFN
- サプライヤデバイスパッケージ
- PG-TISON-8
- 重量
- お問い合わせ
- 応用
- メールで送ってください: sales@qic.jp
- 代替部品番号
- BSC0911NDATMA1
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
関連キーワード "BSC0"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| BSC009NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON |
| BSC009NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND |
| BSC009NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8 |
| BSC010N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 |
| BSC010N04LSCATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS |
| BSC010N04LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON |
| BSC010N04LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS |
| BSC010NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 |
| BSC010NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 |
| BSC011N03LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON |
| BSC011N03LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8 |
| BSC011N03LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS |