製造業者識別番号IPB60R280P7ATMA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
在庫数量55600 個
単価メールで引用 (sales@qic.jp)
簡単な説明MOSFET TO263-3
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
耐湿性レベル(MSL) 1 (無制限)
納期1〜2日
生産年 (DC)最新
データシートダウンロード IPB60R280P7ATMA1.pdf

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品番
IPB60R280P7ATMA1
生産状況(ライフサイクル)
お問い合わせ
生産時間
4-8週間
状態
新規および未使用、純正品
発送方法
佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
部品ステータス
生産中
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
12A (Tc)
Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
280 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
4V @ 190µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
18nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
761pF @ 400V
FET機能
-
消費電力(最大)
53W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
SMD Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量
お問い合わせ
応用
メールで送ってください: sales@qic.jp
代替部品番号
IPB60R280P7ATMA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "IPB60"

品番 メーカー 説明
IPB600N25N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
IPB60R040C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3
IPB60R060C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3
IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3
IPB60R080P7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3
IPB60R099C6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
IPB60R099C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3
IPB60R099CPAATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
IPB60R099P7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3
IPB60R120C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3
IPB60R120P7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3