製造業者識別番号IPD65R400CEAUMA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
在庫数量66570 個
単価メールで引用 (sales@qic.jp)
簡単な説明MOSFET N-CH 650V TO-252
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
耐湿性レベル(MSL) 1 (無制限)
納期1〜2日
生産年 (DC)最新
データシートダウンロード IPD65R400CEAUMA1.pdf

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品番
IPD65R400CEAUMA1
生産状況(ライフサイクル)
お問い合わせ
生産時間
4-8週間
状態
新規および未使用、純正品
発送方法
佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
部品ステータス
生産中
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
15.1A (Tc)
Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
400 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
3.5V @ 320µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
39nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
710pF @ 100V
FET機能
Super Junction
消費電力(最大)
118W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
SMD Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量
お問い合わせ
応用
メールで送ってください: sales@qic.jp
代替部品番号
IPD65R400CEAUMA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "IPD65"

品番 メーカー 説明
IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 13A TO-252
IPD65R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V TO-252
IPD65R1K4C6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO252-3
IPD65R1K4CFDATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
IPD65R1K4CFDBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
IPD65R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3
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IPD65R250C6XTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252
IPD65R250E6XTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO252-3
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IPD65R380C6BTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
IPD65R380E6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252