IRF6643TRPBF Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | IRF6643TRPBF |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 在庫数量 | 44660 個 |
| 単価 | メールで引用 (sales@qic.jp) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (無制限) |
| 納期 | 1〜2日 |
| 生産年 (DC) | 最新 |
| データシートダウンロード | IRF6643TRPBF.pdf |
下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します IRF6643TRPBF 24時間以内に。
- 品番
- IRF6643TRPBF
- 生産状況（ライフサイクル）
- お問い合わせ
- 生産時間
- 4-8週間
- 状態
- 新規および未使用、純正品
- 発送方法
- 佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
- 部品ステータス
- 生産中
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 150V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 6.2A (Ta), 35A (Tc)
- Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 34.5 mOhm @ 7.6A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 4.9V @ 150µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 55nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 2340pF @ 25V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 2.8W (Ta), 89W (Tc)
- 動作温度
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- SMD Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- DIRECTFET™ MZ
- パッケージ/ケース
- DirectFET™ Isometric MZ
- 重量
- お問い合わせ
- 応用
- メールで送ってください: sales@qic.jp
- 代替部品番号
- IRF6643TRPBF
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
関連キーワード "IRF6"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| IRF6000T00B01 | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| IRF6000T00B02 | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| IRF6001I | Texas Instruments （TI） | IRF6001I TI BGA IC |
| IRF603FP | STMicroelectronics | IRF603FP STM IC TO-220F |
| IRF60B217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 60A |
| IRF60DM206 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 130A |
| IRF60R217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 58A |
| IRF610 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB |
| IRF610-613 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V IC |
| IRF610-R4941 | FAIRCHILD | IRF610-R4941 FAIRCHILD IC TO220 |
| IRF610-TSTU | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| IRF610/SIHF610 | VISHAY | IRF610/SIHF610 original vishay components |