品番

IRF7524D1PBF

生産状況（ライフサイクル）

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生産時間

4-8週間

状態

新規および未使用、純正品

発送方法

佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post

部品ステータス

廃止

FETタイプ

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン - ソース間電圧（Vdss）

20V

電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）

1.7A (Ta)

Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On（Max）@ Id、Vgs

270 mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs（th）（Max）@ Id

700mV @ 250µA

ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs

8.2nC @ 4.5V

Vgs（最大）

±12V

入力容量（Ciss）（Max）@ Vds

240pF @ 15V

FET機能

Schottky Diode (Isolated)

消費電力（最大）

1.25W (Ta)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

SMD Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

Micro8™

パッケージ/ケース

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

重量

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応用

メールで送ってください: sales@qic.jp

代替部品番号

IRF7524D1PBF