IRFB38N20DPBF Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | IRFB38N20DPBF |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 在庫数量 | 87200 個 |
| 単価 | メールで引用 (sales@qic.jp) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (無制限) |
| 納期 | 1〜2日 |
| 生産年 (DC) | 最新 |
| データシートダウンロード | IRFB38N20DPBF.pdf |
下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します IRFB38N20DPBF 24時間以内に。
- 品番
- IRFB38N20DPBF
- 生産状況（ライフサイクル）
- お問い合わせ
- 生産時間
- 4-8週間
- 状態
- 新規および未使用、純正品
- 発送方法
- 佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
- 部品ステータス
- 生産中
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 200V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 43A (Tc)
- Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 54 mOhm @ 26A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 5V @ 250µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 91nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 2900pF @ 25V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 3.8W (Ta), 300W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- 取付タイプ
- Through Hole
- サプライヤデバイスパッケージ
- TO-220AB
- パッケージ/ケース
- TO-220-3
- 重量
- お問い合わせ
- 応用
- メールで送ってください: sales@qic.jp
- 代替部品番号
- IRFB38N20DPBF
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
関連キーワード "IRFB"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| IRFB11N50A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB |
| IRFB11N50A F | VISHAY | IRFB11N50A F original vishay components |
| IRFB11N50AP | VISHAY | IRFB11N50AP original vishay components |
| IRFB11N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB |
| IRFB13N50A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB |
| IRFB13N50AP | VISHAY | IRFB13N50AP original vishay components |
| IRFB13N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB |
| IRFB16N50K | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB |
| IRFB16N50KPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB |
| IRFB16N60L | VISHAY | Power MOSFET |
| IRFB16N60LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 16A TO-220AB |
| IRFB17N20D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB |