SIDC24D30SIC3 Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | SIDC24D30SIC3 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 在庫数量 | 29160 個 |
| 単価 | メールで引用 (sales@qic.jp) |
| 簡単な説明 | DIODE SILICON 300V 10A WAFER |
| 製品カテゴリ | ダイオード - 整流器 - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (無制限) |
| 納期 | 1〜2日 |
| 生産年 (DC) | 最新 |
| データシートダウンロード | SIDC24D30SIC3.pdf |
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- 品番
- SIDC24D30SIC3
- 生産状況（ライフサイクル）
- お問い合わせ
- 生産時間
- 4-8週間
- 状態
- 新規および未使用、純正品
- 発送方法
- 佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
- 部品ステータス
- Discontinued at -
- ダイオードタイプ
- Silicon Carbide Schottky
- 電圧 - DC逆（Vr）（最大）
- 300V
- 電流 - 平均整流（Io）
- 10A (DC)
- 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If
- 1.7V @ 10A
- 速度
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- 逆回復時間（trr）
- 0ns
- 電流 - 逆リーク（Vr）
- 200µA @ 300V
- 容量Vr、F
- 600pF @ 1V, 1MHz
- 取付タイプ
- SMD Surface Mount
- パッケージ/ケース
- Die
- サプライヤデバイスパッケージ
- Sawn on foil
- 動作温度 - ジャンクション
- -55°C ~ 175°C
- 重量
- お問い合わせ
- 応用
- メールで送ってください: sales@qic.jp
- 代替部品番号
- SIDC24D30SIC3
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
関連キーワード "SIDC"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| SIDC01D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER |
| SIDC01D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP WAFER |
| SIDC02D60C6X1SA4 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER |
| SIDC02D60F6X1SA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER |
| SIDC03D120F6X1SA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER |
| SIDC03D120H6X1SA3 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER |
| SIDC03D60C6X1SA2 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER |
| SIDC03D60F6X1SA2 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER |
| SIDC04D60F6X1SA3 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER |
| SIDC05D60C6X1SA2 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 15A WAFER |
| SIDC06D120E6X1SA3 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER |
| SIDC06D120F6X1SA2 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER |