製造業者識別番号IS42S83200D-6TL-TR
メーカー/ブランドISSI, Integrated Silicon Solution Inc
在庫数量70860 個
単価メールで引用 (sales@qic.jp)
簡単な説明IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
製品カテゴリメモリ
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
耐湿性レベル(MSL) 1 (無制限)
納期1〜2日
生産年 (DC)最新
データシートダウンロード IS42S83200D-6TL-TR.pdf

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品番
IS42S83200D-6TL-TR
生産状況(ライフサイクル)
お問い合わせ
生産時間
4-8週間
状態
新規および未使用、純正品
発送方法
佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
部品ステータス
廃止
メモリの種類
Volatile
メモリフォーマット
DRAM
技術
SDRAM
メモリー容量
256Mb (32M x 8)
クロック周波数
166MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
-
アクセス時間
5.4ns
メモリインターフェイス
Parallel
電圧 - 供給
3 V ~ 3.6 V
動作温度
0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプ
SMD Surface Mount
パッケージ/ケース
54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ
54-TSOP II
重量
お問い合わせ
応用
メールで送ってください: sales@qic.jp
代替部品番号
IS42S83200D-6TL-TR

によって作られた関連部品 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

関連キーワード "IS42S8"

品番 メーカー 説明
IS42S81600 ISSI Original ISSI IS42S81600 Memory Flash RAM IC
IS42S81600A ISSI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM Memory IC
IS42S81600A-10T ISSI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM Memory IC
IS42S81600A-10TI ISSI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM Memory IC
IS42S81600A-10TL ISSI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM Memory IC
IS42S81600A-6T ISSI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM Memory IC
IS42S81600A-6TL ISSI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM Memory IC
IS42S81600A-7T ISSI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM Memory IC
IS42S81600A-7TI ISSI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM Memory IC
IS42S81600A-7TL ISSI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM Memory IC
IS42S81600A-7TLI ISSI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM Memory IC
IS42S81600B-6T ISSI 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM Memory IC