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IS43R16320D-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 配給業者
| 製造業者識別番号 | IS43R16320D-5TL |
|---|---|
| メーカー/ブランド | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 在庫数量 | 25040 個 |
| 単価 | メールで引用 (sales@qic.jp) |
| 簡単な説明 | IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II |
| 製品カテゴリ | メモリ |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (無制限) |
| 納期 | 1〜2日 |
| 生産年 (DC) | 最新 |
| データシートダウンロード | IS43R16320D-5TL.pdf |
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- 品番
- IS43R16320D-5TL
- 生産状況（ライフサイクル）
- お問い合わせ
- 生産時間
- 4-8週間
- 状態
- 新規および未使用、純正品
- 発送方法
- 佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
- 部品ステータス
- 生産中
- メモリの種類
- Volatile
- メモリフォーマット
- DRAM
- 技術
- SDRAM - DDR
- メモリー容量
- 512Mb (32M x 16)
- クロック周波数
- 200MHz
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
- 15ns
- アクセス時間
- 700ps
- メモリインターフェイス
- Parallel
- 電圧 - 供給
- 2.5 V ~ 2.7 V
- 動作温度
- 0°C ~ 70°C (TA)
- 取付タイプ
- SMD Surface Mount
- パッケージ/ケース
- 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
- サプライヤデバイスパッケージ
- 66-TSOP II
- 重量
- お問い合わせ
- 応用
- メールで送ってください: sales@qic.jp
- 代替部品番号
- IS43R16320D-5TL
によって作られた関連部品 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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ISSI256K x 36 and 512K x 18 9Mb, FLOW THROUGH (NO WAIT) STATE BUS SRAM Memory IC -
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関連キーワード "IS43R"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| IS43R16160A | ISSI | 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM Memory IC |
| IS43R16160A-5T | ISSI | 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM Memory IC |
| IS43R16160A-5TL | ISSI | 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM Memory IC |
| IS43R16160A-6T | ISSI | 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM Memory IC |
| IS43R16160A-6TL | ISSI | TSOP66 ISSI IS43R16160A-6TL Memory Flash RAM IC |
| IS43R16160A1-5T | ISSI | TSOP66 ISSI IS43R16160A1-5T Memory Flash RAM IC |
| IS43R16160A1-5TL | ISSI | TSOP66 ISSI IS43R16160A1-5TL Memory Flash RAM IC |
| IS43R16160B-5BL | ISSI | BGA ISSI IS43R16160B-5BL Memory Flash RAM IC |
| IS43R16160B-5T | ISSI | TSOP ISSI IS43R16160B-5T Memory Flash RAM IC |
| IS43R16160B-5TL | ISSI | 66-TSOP II ISSI IS43R16160B-5TL Memory Flash RAM IC |
| IS43R16160B-5TL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II |
| IS43R16160B-5TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II |