品番

IXDN502D1

生産状況（ライフサイクル）

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生産時間

4-8週間

状態

新規および未使用、純正品

発送方法

佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post

部品ステータス

廃止

駆動構成

Low-Side

チャネルタイプ

Independent

ドライバ数

2

ゲートタイプ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電圧 - 供給

4.5 V ~ 30 V

ロジック電圧 - VIL、VIH

0.8V, 3V

電流 - ピーク出力（ソース、シンク）

2A, 2A

入力方式

Non-Inverting

ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）

-

立ち上がり/立ち下がり時間（Typ）

7.5ns, 6.5ns

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

SMD Surface Mount

パッケージ/ケース

6-VDFN Exposed Pad

サプライヤデバイスパッケージ

6-DFN (4x5)

重量

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応用

メールで送ってください: sales@qic.jp

代替部品番号

IXDN502D1