品番

IXFH14N100Q2

生産状況（ライフサイクル）

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生産時間

4-8週間

状態

新規および未使用、純正品

発送方法

佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post

部品ステータス

生産中

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン - ソース間電圧（Vdss）

1000V

電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）

14A (Tc)

Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On（Max）@ Id、Vgs

950 mOhm @ 7A, 10V

Vgs（th）（Max）@ Id

5.5V @ 4mA

ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs

83nC @ 10V

Vgs（最大）

±30V

入力容量（Ciss）（Max）@ Vds

2800pF @ 25V

FET機能

-

消費電力（最大）

500W (Tc)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

サプライヤデバイスパッケージ

TO-247AD (IXFH)

パッケージ/ケース

TO-247-3

重量

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応用

メールで送ってください: sales@qic.jp

代替部品番号

IXFH14N100Q2