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- 品番
- IXTT3N200P3HV
- 生産状況（ライフサイクル）
- お問い合わせ
- 生産時間
- 4-8週間
- 状態
- 新規および未使用、純正品
- 発送方法
- 佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
- 部品ステータス
- 生産中
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 2000V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 3A (Tc)
- Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 8 Ohm @ 1.5A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 5V @ 250µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 70nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 1860pF @ 25V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 520W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- SMD Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- TO-268
- パッケージ/ケース
- TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- 重量
- お問い合わせ
- 応用
- メールで送ってください: sales@qic.jp
- 代替部品番号
- IXTT3N200P3HV
によって作られた関連部品 IXYS
関連キーワード "IXTT"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| IXTT02N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268 |
| IXTT100N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 |
| IXTT10N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 |
| IXTT10N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 |
| IXTT10P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 |
| IXTT10P60 | IXYS | MOSFET P-CH 600V 10A TO-268 |
| IXTT110N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 |
| IXTT110N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 |
| IXTT11P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 11A TO-268 |
| IXTT120N15D | IXYS | TO-220 IXYS IXTT120N15D IC |
| IXTT120N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 |
| IXTT12N140 | IXYS | MOSFET N-CH 1400V 12A TO268 |