品番

PSMN4R1-30YLC,115

生産状況（ライフサイクル）

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生産時間

4-8週間

状態

新規および未使用、純正品

発送方法

佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post

部品ステータス

生産中

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン - ソース間電圧（Vdss）

30V

電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）

92A (Tc)

Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On（Max）@ Id、Vgs

4.35 mOhm @ 20A, 10V

Vgs（th）（Max）@ Id

1.95V @ 1mA

ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs（最大）

±20V

入力容量（Ciss）（Max）@ Vds

1502pF @ 15V

FET機能

-

消費電力（最大）

67W (Tc)

動作温度

-

取付タイプ

SMD Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

LFPAK56, Power-SO8

パッケージ/ケース

SC-100, SOT-669, 4-LFPAK

重量

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応用

メールで送ってください: sales@qic.jp

代替部品番号

PSMN4R1-30YLC,115