製造業者識別番号TK6A80E,S4X
メーカー/ブランドToshiba Semiconductor and Storage
在庫数量43300 個
単価メールで引用 (sales@qic.jp)
簡単な説明MOSFET N-CH 800V TO220SIS
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
耐湿性レベル(MSL) 1 (無制限)
納期1〜2日
生産年 (DC)最新
データシートダウンロード TK6A80E,S4X.pdf

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品番
TK6A80E,S4X
生産状況(ライフサイクル)
お問い合わせ
生産時間
4-8週間
状態
新規および未使用、純正品
発送方法
佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
部品ステータス
生産中
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
800V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
6A (Ta)
Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
1.7 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
4V @ 600µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
32nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
1350pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
45W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ
TO-220SIS
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack
重量
お問い合わせ
応用
メールで送ってください: sales@qic.jp
代替部品番号
TK6A80E,S4X

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品番 メーカー 説明
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