BLS6G3135S-120,112 Ampleon USA Inc. 配給業者
| 製造業者識別番号 | BLS6G3135S-120,112 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Ampleon USA Inc. |
| 在庫数量 | 36380 個 |
| 単価 | メールで引用 (sales@qic.jp) |
| 簡単な説明 | RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (無制限) |
| 納期 | 1〜2日 |
| 生産年 (DC) | 最新 |
| データシートダウンロード | BLS6G3135S-120,112.pdf |
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- 品番
- BLS6G3135S-120,112
- 生産状況（ライフサイクル）
- お問い合わせ
- 生産時間
- 4-8週間
- 状態
- 新規および未使用、純正品
- 発送方法
- 佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
- 部品ステータス
- 生産中
- トランジスタタイプ
- LDMOS
- 周波数
- 3.1GHz ~ 3.5GHz
- 利得
- 11dB
- 電圧 - テスト
- 32V
- 電流定格
- 7.2A
- ノイズフィギュア
-
- 電流 - テスト
- 100mA
- 電力出力
- 120W
- 電圧 - 定格
- 60V
- パッケージ/ケース
- SOT-502B
- サプライヤデバイスパッケージ
- SOT502B
- 重量
- お問い合わせ
- 応用
- メールで送ってください: sales@qic.jp
- 代替部品番号
- BLS6G3135S-120,112
によって作られた関連部品 Ampleon USA Inc.
関連キーワード "BLS6G3"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| BLS6G3135-120 | NXP | LDMOS S-Band radar power Transistors |
| BLS6G3135-120,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A |
| BLS6G3135-20 | NXP | Original NXP BLS6G3135-20 IC |
| BLS6G3135-20,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608A |
| BLS6G3135S-120 | NXP | LDMOS S-Band radar power Transistors |
| BLS6G3135S-120,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B |
| BLS6G3135S-20 | NXP | Original NXP BLS6G3135S-20 IC |
| BLS6G3135S-20,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608B |