製造業者識別番号BSC020N03LSGATMA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
在庫数量33930 個
単価メールで引用 (sales@qic.jp)
簡単な説明MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
耐湿性レベル(MSL) 1 (無制限)
納期1〜2日
生産年 (DC)最新
データシートダウンロード BSC020N03LSGATMA1.pdf

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品番
BSC020N03LSGATMA1
生産状況(ライフサイクル)
お問い合わせ
生産時間
4-8週間
状態
新規および未使用、純正品
発送方法
佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
部品ステータス
生産中
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
28A (Ta), 100A (Tc)
Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
2.2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
93nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
7200pF @ 15V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
SMD Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN
重量
お問い合わせ
応用
メールで送ってください: sales@qic.jp
代替部品番号
BSC020N03LSGATMA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "BSC02"

品番 メーカー 説明
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BSC020N03LSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
BSC020N03LSGATMA2 Infineon Technologies LV POWER MOS
BSC020N03MSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
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BSC022N03SG Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
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BSC025N03LSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
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