BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | BSZ16DN25NS3GATMA1 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 在庫数量 | 92920 個 |
| 単価 | メールで引用 (sales@qic.jp) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (無制限) |
| 納期 | 1〜2日 |
| 生産年 (DC) | 最新 |
| データシートダウンロード | BSZ16DN25NS3GATMA1.pdf |
下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します BSZ16DN25NS3GATMA1 24時間以内に。
- 品番
- BSZ16DN25NS3GATMA1
- 生産状況（ライフサイクル）
- お問い合わせ
- 生産時間
- 4-8週間
- 状態
- 新規および未使用、純正品
- 発送方法
- 佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
- 部品ステータス
- 生産中
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 250V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 10.9A (Tc)
- Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 165 mOhm @ 5.5A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 4V @ 32µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 11.4nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 920pF @ 100V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 62.5W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- SMD Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- PG-TSDSON-8
- パッケージ/ケース
- 8-PowerTDFN
- 重量
- お問い合わせ
- 応用
- メールで送ってください: sales@qic.jp
- 代替部品番号
- BSZ16DN25NS3GATMA1
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
;;3.jpg "IRFU4615PBF")
関連キーワード "BSZ16D"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| BSZ16DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON |