IDC08S120EX7SA1 Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | IDC08S120EX7SA1 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 在庫数量 | 80550 個 |
| 単価 | メールで引用 (sales@qic.jp) |
| 簡単な説明 | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 7.5A WAFER |
| 製品カテゴリ | ダイオード - 整流器 - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (無制限) |
| 納期 | 1〜2日 |
| 生産年 (DC) | 最新 |
| データシートダウンロード | IDC08S120EX7SA1.pdf |
下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します IDC08S120EX7SA1 24時間以内に。
- 品番
- IDC08S120EX7SA1
- 生産状況（ライフサイクル）
- お問い合わせ
- 生産時間
- 4-8週間
- 状態
- 新規および未使用、純正品
- 発送方法
- 佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
- 部品ステータス
- 廃止
- ダイオードタイプ
- Silicon Carbide Schottky
- 電圧 - DC逆（Vr）（最大）
- 1200V
- 電流 - 平均整流（Io）
- 7.5A (DC)
- 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If
- 1.8V @ 7.5A
- 速度
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- 逆回復時間（trr）
- 0ns
- 電流 - 逆リーク（Vr）
- 180µA @ 1200V
- 容量Vr、F
- 380pF @ 1V, 1MHz
- 取付タイプ
- SMD Surface Mount
- パッケージ/ケース
- Die
- サプライヤデバイスパッケージ
- Sawn on foil
- 動作温度 - ジャンクション
- -55°C ~ 175°C
- 重量
- お問い合わせ
- 応用
- メールで送ってください: sales@qic.jp
- 代替部品番号
- IDC08S120EX7SA1
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
関連キーワード "IDC08"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| IDC08D120T6MX1SA2 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER |
| IDC08S120EX1SA3 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 7.5A WAFER |
| IDC08S120EX7SA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 7.5A WAFER |
| IDC08S60CEX1SA2 | Infineon Technologies | DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER |
| IDC08S60CEX1SA3 | Infineon Technologies | DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER |
| IDC08S60CEX7SA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURPOSE SAWN WAFER |