製造業者識別番号IPB017N10N5ATMA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
在庫数量31910 個
単価メールで引用 (sales@qic.jp)
簡単な説明MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
耐湿性レベル(MSL) 1 (無制限)
納期1〜2日
生産年 (DC)最新
データシートダウンロード IPB017N10N5ATMA1.pdf

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品番
IPB017N10N5ATMA1
生産状況(ライフサイクル)
お問い合わせ
生産時間
4-8週間
状態
新規および未使用、純正品
発送方法
佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
部品ステータス
生産中
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
180A (Tc)
Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
3.8V @ 279µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
210nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
15600pF @ 50V
FET機能
-
消費電力(最大)
375W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
SMD Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ/ケース
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
重量
お問い合わせ
応用
メールで送ってください: sales@qic.jp
代替部品番号
IPB017N10N5ATMA1

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関連キーワード "IPB01"

品番 メーカー 説明
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IPB015N04NGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
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