製造業者識別番号IPB14N03LAT
メーカー/ブランドInfineon Technologies
在庫数量21440 個
単価メールで引用 (sales@qic.jp)
簡単な説明MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
耐湿性レベル(MSL) 1 (無制限)
納期1〜2日
生産年 (DC)最新
データシートダウンロード IPB14N03LAT.pdf

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品番
IPB14N03LAT
生産状況(ライフサイクル)
お問い合わせ
生産時間
4-8週間
状態
新規および未使用、純正品
発送方法
佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
部品ステータス
Discontinued at -
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
25V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
30A (Tc)
Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
13.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
2V @ 20µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
8.3nC @ 5V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
1043pF @ 15V
FET機能
-
消費電力(最大)
46W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
SMD Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量
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応用
メールで送ってください: sales@qic.jp
代替部品番号
IPB14N03LAT

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "IPB"

品番 メーカー 説明
IPB009N03LGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7
IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB014N06NATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7
IPB015N04LGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
IPB015N04NGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
IPB017N06N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7