製造業者識別番号IPD053N06NATMA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
在庫数量35000 個
単価メールで引用 (sales@qic.jp)
簡単な説明MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
耐湿性レベル(MSL) 1 (無制限)
納期1〜2日
生産年 (DC)最新
データシートダウンロード IPD053N06NATMA1.pdf

下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します IPD053N06NATMA1 24時間以内に。

品番
IPD053N06NATMA1
生産状況(ライフサイクル)
お問い合わせ
生産時間
4-8週間
状態
新規および未使用、純正品
発送方法
佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
部品ステータス
生産中
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
18A (Ta), 45A (Tc)
Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
5.3 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
2.8V @ 36µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
27nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
2000pF @ 30V
FET機能
-
消費電力(最大)
3W (Ta), 83W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
SMD Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量
お問い合わせ
応用
メールで送ってください: sales@qic.jp
代替部品番号
IPD053N06NATMA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "IPD05"

品番 メーカー 説明
IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPD050N03LGBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
IPD053N06N3GBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
IPD053N08N3GBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
IPD05N03A MICREL / MICROCHIP IPD05N03A MICREL rohs
IPD05N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
IPD05N03LB G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 90A DPAK