製造業者識別番号IPI60R099CPXKSA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
在庫数量86800 個
単価メールで引用 (sales@qic.jp)
簡単な説明MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
耐湿性レベル(MSL) 1 (無制限)
納期1〜2日
生産年 (DC)最新
データシートダウンロード IPI60R099CPXKSA1.pdf

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品番
IPI60R099CPXKSA1
生産状況(ライフサイクル)
お問い合わせ
生産時間
4-8週間
状態
新規および未使用、純正品
発送方法
佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
部品ステータス
廃止
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
31A (Tc)
Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
99 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
3.5V @ 1.2mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
80nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
2800pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
255W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TO262-3
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
重量
お問い合わせ
応用
メールで送ってください: sales@qic.jp
代替部品番号
IPI60R099CPXKSA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "IPI60"

品番 メーカー 説明
IPI600N25N3GAKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
IPI60R099CPAAKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
IPI60R099CPXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
IPI60R125CPXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 25A TO-262
IPI60R165CPAKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 21A TO-262
IPI60R165CPXKSA1 Infineon Technologies HIGH POWER_LEGACY
IPI60R190C6XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
IPI60R199CPXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
IPI60R199CPXKSA2 Infineon Technologies HIGH POWER_LEGACY
IPI60R250CPAKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 12A TO-262
IPI60R280C6XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262
IPI60R299CPXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK