IRLH5036TR2PBF Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | IRLH5036TR2PBF |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 在庫数量 | 14640 個 |
| 単価 | メールで引用 (sales@qic.jp) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (無制限) |
| 納期 | 1〜2日 |
| 生産年 (DC) | 最新 |
| データシートダウンロード | IRLH5036TR2PBF.pdf |
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- 品番
- IRLH5036TR2PBF
- 生産状況（ライフサイクル）
- お問い合わせ
- 生産時間
- 4-8週間
- 状態
- 新規および未使用、純正品
- 発送方法
- 佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
- 部品ステータス
- 廃止
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 60V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 20A (Ta), 100A (Tc)
- Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 4.4 mOhm @ 50A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 2.5V @ 150µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 90nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±16V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 5360pF @ 25V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 3.6W (Ta), 160W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- SMD Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- PQFN (5x6)
- パッケージ/ケース
- 8-PowerVDFN
- 重量
- お問い合わせ
- 応用
- メールで送ってください: sales@qic.jp
- 代替部品番号
- IRLH5036TR2PBF
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
関連キーワード "IRLH"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| IRLH5030TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN |
| IRLH5030TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN |
| IRLH5034TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN |
| IRLH5034TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 8-PQFN |
| IRLH5036TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN |
| IRLH5036TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN |
| IRLH6224TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM |
| IRLH6224TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6 |
| IRLH7134TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN |
| IRLH7134TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN |
| IRLHM620TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
| IRLHM620TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |