![SPA11N80C3XKSA2](http://media.digikey.com/Renders/Infineon%20Renders/448;PG-TO220-3;;3.jpg)
製造業者識別番号 | SPA11N80C3XKSA2 |
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メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
在庫数量 | 64520 個 |
単価 | メールで引用 (sales@qic.jp) |
簡単な説明 | MOSFET N-CH 800V 11A TO220 |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
耐湿性レベル(MSL) | 1 (無制限) |
納期 | 1〜2日 |
生産年 (DC) | 最新 |
データシートダウンロード | SPA11N80C3XKSA2.pdf |
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- 品番
- SPA11N80C3XKSA2
- 生産状況(ライフサイクル)
- お問い合わせ
- 生産時間
- 4-8週間
- 状態
- 新規および未使用、純正品
- 発送方法
- 佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
- 部品ステータス
- 廃止
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
- 800V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
- 11A (Tc)
- Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On(Max)@ Id、Vgs
- 450 mOhm @ 7.1A, 10V
- Vgs(th)(Max)@ Id
- 3.9V @ 680µA
- ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
- 85nC @ 10V
- Vgs(最大)
- ±20V
- 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
- 1600pF @ 100V
- FET機能
-
- 消費電力(最大)
- 34W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Through Hole
- サプライヤデバイスパッケージ
- PG-TO220-3
- パッケージ/ケース
- TO-220-3 Isolated Tab
- 重量
- お問い合わせ
- 応用
- メールで送ってください: sales@qic.jp
- 代替部品番号
- SPA11N80C3XKSA2
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
関連キーワード "SPA11"
品番 | メーカー | 説明 |
---|---|---|
SPA11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 |
SPA11N60CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 |
SPA11N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 |
SPA11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP |
SPA11N80C3XKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A TO220 |