製造業者識別番号A2T18S160W31GSR3
メーカー/ブランドNXP USA Inc.
在庫数量16900 個
単価メールで引用 (sales@qic.jp)
簡単な説明IC TRANSISTOR RF LDMOS
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - RF
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
耐湿性レベル(MSL) 1 (無制限)
納期1〜2日
生産年 (DC)最新
データシートダウンロード A2T18S160W31GSR3.pdf

下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します A2T18S160W31GSR3 24時間以内に。

品番
A2T18S160W31GSR3
生産状況(ライフサイクル)
お問い合わせ
生産時間
4-8週間
状態
新規および未使用、純正品
発送方法
佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
部品ステータス
生産中
トランジスタタイプ
LDMOS
周波数
1.88GHz
利得
19.9dB
電圧 - テスト
28V
電流定格
-
ノイズフィギュア
-
電流 - テスト
1A
電力出力
32W
電圧 - 定格
65V
パッケージ/ケース
NI-780GS-2L2LA
サプライヤデバイスパッケージ
NI-780GS-2L2LA
重量
お問い合わせ
応用
メールで送ってください: sales@qic.jp
代替部品番号
A2T18S160W31GSR3

によって作られた関連部品 NXP USA Inc.

関連キーワード "A2T18"

品番 メーカー 説明
A2T18H100-25SR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.81GHZ
A2T18H160-24SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18H410-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18H450W19SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18H455W23NR6 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18S160W31GSR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18S160W31SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18S162W31GSR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18S162W31SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18S165-12SR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18S260-12SR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18S260W12NR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO