BUK652R0-30C,127 NXP USA Inc. 配給業者
| 製造業者識別番号 | BUK652R0-30C,127 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | NXP USA Inc. |
| 在庫数量 | 67590 個 |
| 単価 | メールで引用 (sales@qic.jp) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (無制限) |
| 納期 | 1〜2日 |
| 生産年 (DC) | 最新 |
| データシートダウンロード | BUK652R0-30C,127.pdf |
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- 品番
- BUK652R0-30C,127
- 生産状況（ライフサイクル）
- お問い合わせ
- 生産時間
- 4-8週間
- 状態
- 新規および未使用、純正品
- 発送方法
- 佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
- 部品ステータス
- 廃止
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 30V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 120A (Tc)
- Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 2.2 mOhm @ 25A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 2.8V @ 1mA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 229nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±16V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 14964pF @ 25V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 306W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- 取付タイプ
- Through Hole
- サプライヤデバイスパッケージ
- TO-220AB
- パッケージ/ケース
- TO-220-3
- 重量
- お問い合わせ
- 応用
- メールで送ってください: sales@qic.jp
- 代替部品番号
- BUK652R0-30C,127
によって作られた関連部品 NXP USA Inc.
関連キーワード "BUK65"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| BUK6507-55C | PHILIPS NXP | TO-220AB NXP PHILIPS BUK6507-55C IC |
| BUK6507-55C,127 | NXP | Original NXP BUK6507-55C,127 IC |
| BUK6507-75C | NXP | Original NXP BUK6507-75C IC |
| BUK6507-75C,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB |
| BUK6510-75C | NXP | TO-220AB NXP BUK6510-75C IC |
| BUK652R0-30C | NXP | TO220-3 NXP BUK652R0-30C IC |
| BUK652R0-30C,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB |
| BUK652R1-30C | NXP | Original NXP BUK652R1-30C IC |
| BUK652R1-30C,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB |
| BUK652R3-40 | NXP | TO-220 NXP BUK652R3-40 IC |
| BUK652R3-40C | NXP | Original NXP BUK652R3-40C IC |
| BUK652R3-40C,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB |