製造業者識別番号W988D2FBJX7E TR
メーカー/ブランドWinbond Electronics
在庫数量15810 個
単価メールで引用 (sales@qic.jp)
簡単な説明IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
製品カテゴリメモリ
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
耐湿性レベル(MSL) 1 (無制限)
納期1〜2日
生産年 (DC)最新
データシートダウンロード W988D2FBJX7E TR.pdf

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品番
W988D2FBJX7E TR
生産状況(ライフサイクル)
お問い合わせ
生産時間
4-8週間
状態
新規および未使用、純正品
発送方法
佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
部品ステータス
生産中
メモリの種類
Volatile
メモリフォーマット
DRAM
技術
SDRAM - Mobile LPSDR
メモリー容量
256Mb (8M x 32)
クロック周波数
133MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
15ns
アクセス時間
5.4ns
メモリインターフェイス
Parallel
電圧 - 供給
1.7 V ~ 1.95 V
動作温度
-25°C ~ 85°C (TC)
取付タイプ
SMD Surface Mount
パッケージ/ケース
90-TFBGA
サプライヤデバイスパッケージ
90-VFBGA (8x13)
重量
お問い合わせ
応用
メールで送ってください: sales@qic.jp
代替部品番号
W988D2FBJX7E TR

によって作られた関連部品 Winbond Electronics

関連キーワード "W988D"

品番 メーカー 説明
W988D2FBJX6E Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
W988D2FBJX6E TR Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
W988D2FBJX6I Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
W988D2FBJX6I TR Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
W988D2FBJX7E Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
W988D2FBJX7E TR Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
W988D6FBGX6E Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA
W988D6FBGX6E TR Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA
W988D6FBGX6I Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA
W988D6FBGX6I TR Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA
W988D6FBGX7E Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA
W988D6FBGX7E TR Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA