RQ3E075ATTB Rohm Semiconductor 配給業者
| 製造業者識別番号 | RQ3E075ATTB |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Rohm Semiconductor |
| 在庫数量 | 20010 個 |
| 単価 | メールで引用 (sales@qic.jp) |
| 簡単な説明 | MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (無制限) |
| 納期 | 1〜2日 |
| 生産年 (DC) | 最新 |
| データシートダウンロード | RQ3E075ATTB.pdf |
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- 品番
- RQ3E075ATTB
- 生産状況（ライフサイクル）
- お問い合わせ
- 生産時間
- 4-8週間
- 状態
- 新規および未使用、純正品
- 発送方法
- 佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
- 部品ステータス
- 生産中
- FETタイプ
- P-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 30V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 18A (Tc)
- Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 23 mOhm @ 7.5A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 2.5V @ 1mA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 10.4nC @ 4.5V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 930pF @ 15V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 15W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- SMD Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- 8-HSMT (3.2x3)
- パッケージ/ケース
- 8-PowerVDFN
- 重量
- お問い合わせ
- 応用
- メールで送ってください: sales@qic.jp
- 代替部品番号
- RQ3E075ATTB
によって作られた関連部品 Rohm Semiconductor
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関連キーワード "RQ3"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| RQ3C150BCTB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT |
| RQ3E070BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8 |
| RQ3E075ATTB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT |
| RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 |
| RQ3E080GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT |
| RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 |
| RQ3E100GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT |
| RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 |
| RQ3E120ATTB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8 |
| RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 |
| RQ3E120GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT |
| RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 |