RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor 配給業者
| 製造業者識別番号 | RQ3E120ATTB |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Rohm Semiconductor |
| 在庫数量 | 65980 個 |
| 単価 | メールで引用 (sales@qic.jp) |
| 簡単な説明 | MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8 |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (無制限) |
| 納期 | 1〜2日 |
| 生産年 (DC) | 最新 |
| データシートダウンロード | RQ3E120ATTB.pdf |
下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します RQ3E120ATTB 24時間以内に。
- 品番
- RQ3E120ATTB
- 生産状況（ライフサイクル）
- お問い合わせ
- 生産時間
- 4-8週間
- 状態
- 新規および未使用、純正品
- 発送方法
- 佐川急便、日本通運、DHL、FEDEX、Normal Post
- 部品ステータス
- 生産中
- FETタイプ
- P-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 30V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 12A (Ta)
- Drive 電圧 (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 8 mOhm @ 12A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 2.5V @ 1mA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 62nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 3200pF @ 15V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 2W (Ta)
- 動作温度
- 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- SMD Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- 8-HSMT (3.2x3)
- パッケージ/ケース
- 8-PowerVDFN
- 重量
- お問い合わせ
- 応用
- メールで送ってください: sales@qic.jp
- 代替部品番号
- RQ3E120ATTB
によって作られた関連部品 Rohm Semiconductor
.jpg "KTR25JZPF6204")
関連キーワード "RQ3"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| RQ3C150BCTB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT |
| RQ3E070BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8 |
| RQ3E075ATTB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT |
| RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 |
| RQ3E080GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT |
| RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 |
| RQ3E100GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT |
| RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 |
| RQ3E120ATTB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8 |
| RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 |
| RQ3E120GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT |
| RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 |